内藤電誠工業株式会社評価解析事業部は、半導体製品の信頼性評価（耐候性試験）／実装評価（耐熱性試験）／調査解析（外観／非破壊／半破壊／破壊）を行います。

次世代パワー半導体向け300℃仕様冷熱衝撃装置を新たに導入。
幅広い温度領域での環境試験に対応可能です。

試験槽内

モニタ

幅広い温度制御範囲
　低温側：－70℃～0℃
　高温側：＋300℃～＋60℃
　⇒従来機（Max＋200℃）

高温度域の拡大制御が可能です。（テストエリア雰囲気）
　高テストエリア内寸：W410×H460×D370mm

次世代パワー半導体の需要拡大
　次世代パワー半導体（SiC、GaN等）は従来のパワー半導体（Si）と比較し
　・電力損失提言→効率向上・省エネ
　・高温動作可能（200℃～）→冷却機構の小型化・省略可能
　の様な利点があり需要拡大が期待されています。

次世代パワー半導体試験要求
　次世代パワー半導体は大電流により高温域での使用が想定されており
　現状試験機の限界温度＋200℃を超える温度での耐熱性が求められます。