導体抵抗システムでは微小クラック等を抵抗値の変化により判定する事が可能です。
リフロー耐熱試験ではベーク・吸湿・リフローまでの試験を行います。
熱抵抗測定ではLSIを基板に組み込む際の判断材料として適用していただけます。
信頼性評価事例 |
|
信頼性評価サービス内容>>信頼性評価設備一覧>>信頼性評価事例 |
次世代パワー半導体向け300℃仕様冷熱衝撃装置を新たに導入。
幅広い温度領域での環境試験に対応可能です。
![]() |
試験槽内 |
モニタ |
幅広い温度制御範囲
低温側:-70℃~0℃
高温側:+300℃~+60℃
⇒従来機(Max+200℃)
高温度域の拡大制御が可能です。(テストエリア雰囲気)
高テストエリア内寸:W410×H460×D370mm
次世代パワー半導体の需要拡大
次世代パワー半導体(SiC、GaN等)は従来のパワー半導体(Si)と比較し
・電力損失提言→効率向上・省エネ
・高温動作可能(200℃~)→冷却機構の小型化・省略可能
の様な利点があり需要拡大が期待されています。
次世代パワー半導体試験要求
次世代パワー半導体は大電流により高温域での使用が想定されており
現状試験機の限界温度+200℃を超える温度での耐熱性が求められます。
内藤電誠工業株式会社
評価解析事業部(溝ノ口工場)
〒213-0011 神奈川県川崎市高津区久本3-9-25